Новости

Toshiba демонстрирует техпроцесс 20 нм

Логотип ToshibaToshiba разработала светочувствительную пленку высокого разрешения, необходимую для применения в экстремальной ультрафиолетовой литографии, используемом при производстве полупроводников. Таким образом, компания первой смогла достичь техпроцесса с нормами в пределах 20 нм.

Пленка, используемая в промышленности в данный момент, не позволяет из-за своей молекулярной структуры создавать полупроводники с нормами в пределах 20 нм. Toshiba удалось разработать более мелкую молекулярную структуру этой важного элемента технологии производства полупроводников.

Помещенная на пластину, такая пленка в зависимости от позитивного или негативного типа процесса, испаряется, давая лазеру возможность создавать транзисторы и другие элементы микросхем. Ожидается, что новая пленка и технормы масштаба 20 нм будут массово применяться после 2013 года.

Теги: 20 нм, Toshiba


Комментарии
Добавить комментарий

Введите имя:
Войти от:
или
Ваш комментарий:


Введите код:

E-mail (не обязательно)
Адрес электронной почты не предназначен к показу и будет использован только для уведомлений об ответах


Последние новости

 
Релиз смартфона ожидается в августе
 
Модели 2018 года получат совместимый со всеми сетями модем Intel XMM 7560
 
Официальная поддержка завершится в июле, но продолжится в рамках сервиса Rebble
 
Их могут выпустить вместе с Galaxy Note 9
 
В сборке 17692 появились акриловый эффект и функция Storage Sense
 
В этом году на рынке появится PCI Express 4.0
 
Продажи Galaxy S9 являются самыми низкими со времен Galaxy S3
 
Компания уже начала производство чипов XMM 7560

Архив новостей

 
 
ПнВтСрЧтПтСбВс
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
252627282930 



Последние статьи

Интересный смартфон с завышенной ценой
Один из лучших смартфонов на первую половину 2018 года
Все изменения в весеннем обновлении Windows 10
Симпатичный смартфон с четырьмя камерами
Все о новой технологии экранов, которая может заменить OLED


Опрос

Вы покупаете на AliExpress?
или оставить собственный вариант в комментариях (1)