Современная оперативная память хранит данные только при включенном компьютере. Ради малого времени доступа пришлось пожертвовать долговечностью данных. В то же время память, используемая для хранения данных, отличается большим временем доступа.
Если посмотреть на структуру NAND-флэш и DRAM, то можно заметить, что она отличается незначительно. Ученые из университета Северной Каролины создали новое устройство: транзистор с двойным движением затвора – DFG-FET. Он позволяет одной и той же ячейке памяти вести себя и как NAND, и как DRAM. DFG-FET получила два затвора, отделенных друг от друга изолирующим слоем оксида кремния. Над ними располагается еще один, который позволяет записывать данные, пропуская электрический ток определенного напряжения.
В качестве ячейки оперативной памяти, разработка обладает временем доступ в 0.31-2.18 нс – такое же было у SDRAM и более быстрых типов памяти. Устройство, использующее такую память, может отправлять ей команды, в каком режиме нужно принимать данные. Это делает с помощью импульсов разного напряжения.
В скором будущем такие транзисторы могут быть применены в серверах, размещаемых в больших дата-центрах. В таких «фермах» часть серверов динамически отключается в целях экономии энергии. При этом всегда есть риск потерять данные, находящиеся в оперативной памяти. Быстрое кэширование с помощью новых модулей могло бы снизить риски и повысить эффективность подобных схем.
В более отдаленной перспективе разработчики видят создание переключаемых процессоров. Например, можно было бы «перепрошивать» чипы с архитектуры ARM на х86 и наоборот.
