Samsung и Hynix готовятся вывести на рынок HBM3. Новая шина памяти увеличивает плотность хранения данных для одного ядра с 8 Гбит до 16 Гбит, или примерно на 2 Гбайта. В одном чипе при этом может находиться до восьми таких ядер. В сумме это дает видеокарты, которые смогут нести на борту до 64 Гбайт памяти.
HBM3 также требует более низкое напряжение питание по сравнению HBM2. Пропускная способность в расчете на уровень DRAM увеличивается вдвое до 512 Гбайт/с. В целом пропускная способность подсистемы памяти теперь может достигать терабайт в секунду.
Правда, использование HBM3 ожидается относительно нескоро. Пока точно известно, что AMD намерена использовать шину памяти лишь в ускорителях 2018 года.
Samsung также представила GDDR6 и «Low Cost» HBM. GDDR6 предполагает увеличение скорости в расчете на один контакт с 10 до 14 Гбит/с. Она будет использоваться в 2018 году.
Дешевая HBM лишена части конструктивных особенностей, что снижает производительность с 256 Гбайт/с до 200 Гбайт/с, но также и уменьшает цену.
