Новости

Samsung выпускает образцы флэш-памяти по техпроцессу 20 нм

Логотип SamsungSamsung объявила, что начала производство первых образцов многоуровневой памяти NAND-флжш по техпроцессу 20 нм. На данный момент это самый тонкий из освоенных техпроцессов. Как правило, производители памяти находятся на переднем фронте освоения более тонких норм выпуска полупроводников.

По 20 нм нормам выпускаются чипы памяти, которые будут использоваться в картах SD и в качестве накопителей в смартфонах. Речь идет о 32-гигабитных микросхемах, что в результате дает линейку носителей емкостью от 4 до 64 Гбайт.


По данным компании SD-карточки на базе новых чипов будут на 30% быстрее предыдущего поколения. Всего год назад Samsung представила 30-нм техпроцесс для выпуска NAND-памяти.

Теги: 20 нм, Samsung, флэш-память


Комментарии
Добавить комментарий

Введите имя:
Войти от:
или
Ваш комментарий:


Введите код:

E-mail (не обязательно)
Адрес электронной почты не предназначен к показу и будет использован только для уведомлений об ответах


Последние новости

 
Услуга станет доступна в течение ближайших нескольких месяцев
 
Новая версия операционной системы уже доступна в виде превью для разработчиков
 
Диагональ матрицы составит 6,4-дюйма, объем оперативной памяти – 6 Гбайт
 
У компании есть две недели, чтобы устранить мелкие шероховатости
 
Она будет реализована через приложение для профессионалов Tweetdeck
 
Японский рынок уже принес компании более $50 миллионов
 
Гаджет выйдет в сентябре 2017 года, но первая партия будет небольшой
 
Новая патентная заявка описывает использование iPhone в качестве тачпада для MacBook

Архив новостей

 
 
ПнВтСрЧтПтСбВс
  12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
2728293031  



Последние статьи

Стильный и недорогой смартфон от российской компании
Современный защищенный смартфон по приемлемой цене
Дешевый смартфон Samsung, улучшенная версия Galaxy J1 (2016)
Обзор возможностей восьми различных приложений
Доступный смартфон с неплохими характеристиками


Опрос

Вы покупаете на AliExpress?
или оставить собственный вариант в комментариях (1)