Новости

Samsung начинает производство 40 нм 4 Гбит чипов памяти

Логотип SamsungSamsung освоила производство 4-гигабитных чипов памяти DDR3 по новому 40-нм техпроцессу. До сих пор компания использовала эти нормы только для создания менее емких чипов. Новый техпроцесс позволит компании создавать 16-гигабайтные модули памяти для настольных компьютеров, которые будут отличаться низким энергопотреблением. По уверению производителя экономия составит 35%.

Еще больший выигрыш ожидается в серверном сегменте. Здесь 4-гигабитные чипы будут использованы для 32-гигабайтных модулей. В ближайшее время по новому техпроцессу будет выпускаться 90% подобных микросхем. Ну а ноутбуки смогут получить модули по 8 Гбайт.

Новые чипы поддерживают напряжение питания 1.50 и 1.35 В. Пропускная способность модулей на их базе составит 1.6 Гбит/с.

Теги: DDR3, Samsung


Комментарии
Добавить комментарий

Введите имя:
Войти от:
или
Ваш комментарий:


Введите код:

E-mail (не обязательно)
Адрес электронной почты не предназначен к показу и будет использован только для уведомлений об ответах


Последние новости

 
На Android приходится 68,5% заражений, на Windows – 27,96%
 
Apple сообщила о задержке устройства за месяц до его релиза
 
Intel уже работает над модемами для будущих смартфонов Apple
 
Они могут быть заблокированы за нарушение прав потребителей
 
Теперь ролики можно смотреть без черных полос
 
Он может работать и в LTE-сетях
 
В биткоинах уже хранится $133 миллиарда
 
OnePlus 5T относится к премиумному классу

Архив новостей

 
 
ПнВтСрЧтПтСбВс
  12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
27282930   



Последние статьи

Все о работе с PDF на iPhone и в iOS
Обзор популярных плееров для Android
Почти бюджетный смартфон с хорошими параметрами
Один из лучших смартфонов 2017 года
Металлический смартфон с доступной ценой


Опрос

Вы покупаете на AliExpress?
или оставить собственный вариант в комментариях (1)