Новости

Samsung начинает производство 40 нм 4 Гбит чипов памяти

Логотип SamsungSamsung освоила производство 4-гигабитных чипов памяти DDR3 по новому 40-нм техпроцессу. До сих пор компания использовала эти нормы только для создания менее емких чипов. Новый техпроцесс позволит компании создавать 16-гигабайтные модули памяти для настольных компьютеров, которые будут отличаться низким энергопотреблением. По уверению производителя экономия составит 35%.

Еще больший выигрыш ожидается в серверном сегменте. Здесь 4-гигабитные чипы будут использованы для 32-гигабайтных модулей. В ближайшее время по новому техпроцессу будет выпускаться 90% подобных микросхем. Ну а ноутбуки смогут получить модули по 8 Гбайт.

Новые чипы поддерживают напряжение питания 1.50 и 1.35 В. Пропускная способность модулей на их базе составит 1.6 Гбит/с.

Теги: DDR3, Samsung


Комментарии
Добавить комментарий

Введите имя:
Войти от:
или
Ваш комментарий:


Введите код:

E-mail (не обязательно)
Адрес электронной почты не предназначен к показу и будет использован только для уведомлений об ответах


Последние новости

 
Связь заработала на въездах и выездах из тоннелей
 
Новая функция удаляет временные файлы и залежалые файлы из корзины
 
 Он будет передвигаться по тоннелю по скоростью около 1000 км/ч
 
Анонс новинок состоится на MWC 2017
 
Энтузиасты смогли запустить Android 7.1.1 на первом Galaxy S
 
Компания в очередной раз сократит мобильное подразделение
 
FaceTime получит поддержку групповых видеозвонков
 
Компания выпустит умные часы для профессиональных спортсменов

Архив новостей

 
 
ПнВтСрЧтПтСбВс
      1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031     



Последние статьи

Компактный смартфон с хорошим дизайном и водонепроницаемым корпусом
Эволюция удачного смартфона, теперь с водостойким корпусом и USB Type-C
Смартфон с металлической крышкой и IPS-экраном
Описание самых популярных приложений для чтения книг на iPhone


Опрос

Вы покупаете на AliExpress?
или оставить собственный вариант в комментариях (1)