Новости

Samsung начинает производство 40 нм 4 Гбит чипов памяти

Логотип SamsungSamsung освоила производство 4-гигабитных чипов памяти DDR3 по новому 40-нм техпроцессу. До сих пор компания использовала эти нормы только для создания менее емких чипов. Новый техпроцесс позволит компании создавать 16-гигабайтные модули памяти для настольных компьютеров, которые будут отличаться низким энергопотреблением. По уверению производителя экономия составит 35%.

Еще больший выигрыш ожидается в серверном сегменте. Здесь 4-гигабитные чипы будут использованы для 32-гигабайтных модулей. В ближайшее время по новому техпроцессу будет выпускаться 90% подобных микросхем. Ну а ноутбуки смогут получить модули по 8 Гбайт.

Новые чипы поддерживают напряжение питания 1.50 и 1.35 В. Пропускная способность модулей на их базе составит 1.6 Гбит/с.

Теги: DDR3, Samsung


Комментарии
Добавить комментарий

Введите имя:
Войти от:
или
Ваш комментарий:


Введите код:

E-mail (не обязательно)
Адрес электронной почты не предназначен к показу и будет использован только для уведомлений об ответах


Последние новости

 
Телефон не предложит больших инноваций
 
Google Podcasts поддерживает Google Assistant и автономное воспроизведение
 
Тестирование версии пока идет
 
 
Сенат проголосовал против инициативы Трампа по смягчению санкций
 
Ранее над графикой начала работать Apple
 
Пользователи, которые готовы ждать, смогут экономить на поездках
 
Такая функция присутствует в iOS 12

Архив новостей

 
 
ПнВтСрЧтПтСбВс
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
252627282930 



Последние статьи

Смартфон имеет дизайн флагмана, а еще сдвоенную камеру
Интересный смартфон с завышенной ценой
Один из лучших смартфонов на первую половину 2018 года
Все изменения в весеннем обновлении Windows 10
Симпатичный смартфон с четырьмя камерами


Опрос

Вы покупаете на AliExpress?
или оставить собственный вариант в комментариях (1)