Новости

Samsung начинает производство 40 нм 4 Гбит чипов памяти

Логотип SamsungSamsung освоила производство 4-гигабитных чипов памяти DDR3 по новому 40-нм техпроцессу. До сих пор компания использовала эти нормы только для создания менее емких чипов. Новый техпроцесс позволит компании создавать 16-гигабайтные модули памяти для настольных компьютеров, которые будут отличаться низким энергопотреблением. По уверению производителя экономия составит 35%.

Еще больший выигрыш ожидается в серверном сегменте. Здесь 4-гигабитные чипы будут использованы для 32-гигабайтных модулей. В ближайшее время по новому техпроцессу будет выпускаться 90% подобных микросхем. Ну а ноутбуки смогут получить модули по 8 Гбайт.

Новые чипы поддерживают напряжение питания 1.50 и 1.35 В. Пропускная способность модулей на их базе составит 1.6 Гбит/с.

Теги: DDR3, Samsung


Комментарии
Добавить комментарий

Введите имя:
Войти от:
или
Ваш комментарий:


Введите код:

E-mail (не обязательно)
Адрес электронной почты не предназначен к показу и будет использован только для уведомлений об ответах


Последние новости

 
Акции Apple дорожают на фоне запуска 5G
 
Антивирус прекратит развитие, но продолжит работать
 
Google и Apple утверждают, что это не так
 
До конца декабря у компании появится мессенджер, навигатор и платежная система
 
Galaxy S10 Lite получит подэкранный дактилоскоп и тройную камеру
 
Он имеет 9 пластин и предназначен для корпоративного сегмента
 
А Galaxy Fold 2 станет тоньше и избавится от складок
 
Пользователи iPhone смогут общаться по спутниковой связи

Архив новостей

 
 
ПнВтСрЧтПтСбВс
  12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
27282930   



Последние статьи

Недорогой современный смартфон без моноброви
Эффектный флагман со своим лицом
Все об изменениях в Android 9
Недорогой смартфон с вытянутым экраном
Улучшенный варианта Galaxy A6


Опрос

Вы покупаете на AliExpress?
или оставить собственный вариант в комментариях (1)