Toshiba заявила о создании технологии записи пяти бит в ячейку памяти. Она основана на флэш-памяти BiCS 4 с использованием модифицированного модуля памяти Quad-Level Cell (QLC).
Чтобы сохранять один дополнительный бит информации в ячейку требуется более тонкая корректировка напряжения – ячейка должна иметь возможность изменять свое состояние в соответствии с одним из 32 состояний напряжения, которые должны быть правильно прочитаны контроллером флэш-памяти.
Это снижает производительность и выносливость соты (как и любое увеличение числа битов на соту), но позволяет создавать более емкие чипы памяти.
