DDR4 продолжает свой путь на рынок. Hynix представила двухгигабайтные модули DDR4 DRAM и модули ECC-SODIMM на их основе. Оба продукта выполнены по нормам 30 нм.
DDR4 DRAM от Hynix соответствует стандартам JEDEC. Новое поколение оперативной памяти потребляет меньше энергии при увеличении пропускной способности почти в два раза по сравнению с DDR3. Она составляет 2400 Мбит/с, что на 80% больше, чем у DDR3 с 1333 Мбит/с. Таким образом, стандартный модуль может обеспечить передачу до 19.2 Гбайт/с. Напряжение питания составляет 1.2 В.
Массовое производство DDR4 планируется начать во второй половине следующего года. Ожидается что новое поколение памяти займет 5% рынка в 2013 году, а еще через два станет основным.
