Ведущие производители процессоров на отраслевой конференции IEDM-2016 представят свои решения для 7-нм техпроцессов. На данный момент предлагается два основных подхода.
TSMC планирует использовать CMOS-технологию, альянс IBM, GLOBALFOUNDRIES и Samsung — задействовать ультрафиолетовое излучение (EUV).
EUV имеет длину волны 13,5 нм против 193 нм, которые используются сейчас. Альянс планирует перейти на EUV, чтобы получать транзисторы меньшего размера.
TSMC в своем решение обещает в три раза увеличить плотность затвора, повысить на 35-40% скорость процессоров и снизить потребление на 65% по сравнению с действующей 16-нм технологие компании. TSMC уже сделала 256-мегабитный полностью функциональный чип памяти SRAM в котором ячейки имеют площадь 0,027 µm2, а питание составляет 0,5 В. Особенностью CMOS-решения TSMC является использование 193-нм иммерсионной литографии.
Samsung вместе с GLOBALFOUNDRIES в свою очередь собираются использовать EUV.
Компании собираются начать производство по 7-нм техпроцессу в 2017 или 2018 годах. При том, что Intel пока не объявила ничего о своих планах на 7-нм нормы.
